韓國國立首爾大學(xué)的一個研究團隊日前宣布，他們成功通過熒光蛋白質(zhì)標(biāo)記儲存記憶的神經(jīng)元突觸，在細胞水平上確認了大腦儲存記憶的具體位置為突觸（synapse）。實驗人員可以用肉眼看到熒光標(biāo)記。有關(guān)成果發(fā)表在近日的《科學(xué)》雜志上。

這是自加拿大心理學(xué)家唐納德-赫普在1949年提出“記憶儲存于突觸”假說之后，首次通過實驗獲得驗證。此前由于技術(shù)限制，該假說始終沒有得到實驗證實。

根據(jù)研究團隊介紹，此前人們已經(jīng)發(fā)現(xiàn)海馬體在大腦記憶中起關(guān)鍵作用。在海馬體內(nèi)部存在著數(shù)量龐大的神經(jīng)細胞單元，每個單元可能有超過10000個突觸，通過突觸同其他神經(jīng)單元連接。這些在唐納德-赫普假說中作為信息存儲體的突觸，尺寸為納米級別。

 

研究人員開發(fā)出一種化學(xué)檢測技術(shù)，能夠在腦神經(jīng)元形成記憶時，區(qū)分超過一千個突觸。該技術(shù)能夠分別以黃色和藍色熒光標(biāo)記儲存有記憶的突觸和普通突觸。在實驗中，研究人員使用病毒將綠色熒光蛋白（GFP）基因注入神經(jīng)細胞，當(dāng)神經(jīng)元被激活并形成記憶時，熒光出現(xiàn)在突觸的末端。研究者修改了部分GFP基因以獲得不同顏色的熒光對突觸進行標(biāo)記。

他們向?qū)嶒炇笫┘与姶碳?，觀察突觸刺激后的變化。實驗證實，實驗鼠的神經(jīng)細胞在經(jīng)歷電擊之后，通過強化連接神經(jīng)細胞突觸的方式儲存相關(guān)信息，以幫助實驗鼠躲避以后可能發(fā)生的電擊。研究發(fā)現(xiàn)，逐漸增加電擊的強度，能夠?qū)е峦挥|中的樹突部分數(shù)量增加，體積增大。由此確定電擊改變了突觸的結(jié)構(gòu)。

據(jù)介紹，確認腦細胞儲存記憶的具體位置，有助于揭示神經(jīng)系統(tǒng)退行性疾病的病理。（邰舉）